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IXFK100N10中文资料

  • 大小：115.93KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：HiPerFET Power MOSFETs
  • 标准包装：25
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 75A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：360nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：9000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：500W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 供应商设备封装：TO-264AA
  • 包装：管件

IXFK100N10供应商

更新时间:2023-01-22 14:21:38
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